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三菱电机 第5代A系列IGBT模块

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所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2019-02-05 13:58
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公司基本资料信息
详细说明

性能特点

采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善

应用领域

适合中、低端变频器产品设计

封装尺寸

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